Redmi K50 rò rỉ: Snapdragon 8 Gen 1 với tản nhiệt kép mát lạnh, sạc siêu nhanh 120W, ra mắt trong tháng 2

Sau sự thành công của dòng Redmi K40 series, Xiaomi cũng đang “rục rịch” chuẩn bị cho ra mắt thế hệ Redmi K50 series tiếp theo trong tháng 2 tới đây. Một vài thông tin cụ thể về dòng sản phẩm này cũng đã được Xiaomi “nhá hàng” trên trang Weibo chính thức của mình.

Hiện tại chưa rõ Redmi K50 series sẽ gồm bao nhiêu phiên bản, tuy nhiên nếu giống với các phiên bản trước thì chúng ta sẽ có Redmi K50, K50 Pro, K40 Pro+ và K50 Gaming Edition. Trong đó sẽ có hai phiên bản trang bị vi xử lý MediaTek Dimensity 7000 và 9000, hai phiên bản còn lại sẽ trang bị Snapdragon 870 và 8 Gen 1.

Theo hình ảnh mới nhất được CEO Redmi là ông Lu Weibing đăng tải, phiên bản trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Gen 1 của Redmi K50 (nhiều khả năng là K50 Pro+) sẽ tích hợp hệ thống tản nhiệt buồng hơi VC kép, “thách thức” độ nóng của con chip này. Theo như đánh giá sơ bộ của các smartphone trang bị con chip Snapdragon 8 Gen 1, đa số vẫn gặp phải tình trạng quá nhiệt khi xử lý các tác vụ nặng. Có vẻ như Xiaomi đang khá tự tin với khả năng tản nhiệt của dòng Redmi K50 sắp ra mắt.

Ngoài ra, Xiaomi cũng xác nhận Redmi K50 series sẽ hỗ trợ công nghệ sạc siêu nhanh 120W, có thể sạc đầy viên pin 4700mAh chỉ trong vòng 17 phút. Máy chạy sẵn MIUI 13 khi được ra mắt.

Redmi K50 series sẽ được Xiaomi giới thiệu tại thị trường Trung Quốc trong tháng 2 tới đây, chưa rõ cụ thể ngày nào. Sau đó máy có thể sẽ được ra mắt tại một vài thị trường quốc tế dưới tên thương hiệu POCO và Xiaomi.